Philips verbetert BiCMOS-proces

Philips heeft Qubic4X gelanceerd, de jongste telg in zijn Qubic4-familie van performante BiCMOS-procestechnologieën. Het nieuwe proces is gebaseerd op een silicium-germanium-koolstoftechnologie (SiGe:C) en bevat bipolaire transistoren met afsnijfrequenties boven de 130 GHz. Hiermee is Qubic4X geschikt voor microgolftoepassingen tussen de 10 en 30 GHz zoals ontvangers van satelliet-tv en autoradars die botsingen moeten voorkomen. Door het lage ruisniveau van zo‘n 0,4 dB is het proces ook te gebruiken voor de productie van gevoelige RF-ontvangers voor high-end mobieltjes.

In termen van versterking en ruis kan de Philips-technologie de strijd aan met oplossingen op basis van galliumarsenide. Ook kan het bipolaire proces overweg met CMOS-logica, CMOS RF-schakelingen en veeleisende passieve componenten. Deze flexibiliteit maakt Qubic4X een beter alternatief voor de huidige hybride oplossingen die aparte silicium en galliumarsenide componenten bevatten.

Philips heeft het Qubic4X-proces ontwikkeld met echte requirements in het achterhoofd. Het Eindhovense bedrijf zocht naar de configuratie waarbij zowel de versterkingsfactor (gain) als de afsnijfrequentie zo optimaal mogelijk waren. Alleen dan krijg je transistoren met een bruikbare gain die ook geschikt zijn voor microgolffrequenties.