Onderzoekers van Sematech zijn erin geslaagd deeltjes ter grootte van 10 nanometer te detecteren en te verwijderen van een lithografiemasker. Ze maakten gebruik van de M7360-machine van het Japanse Lasertec en een atoomkrachtmicroscoop. Daarmee zagen ze het siliciumstofje dat ze met opzet op het oppervlak hadden gedeponeerd. Bovendien konden de researchers het markeren en opmeten. De Hamatech ASC5500 maakte het masker daarna voor ze schoon. ’Deze nauwkeurigheid is nodig voor 22 nm EUV-lithografie‘, aldus onderzoeksleider Abbas Rastegar. Er zijn zeer efficiënte schoonmaaktechnieken nodig om de EUV-maskers voldoende precisie te geven.
Kort nieuws
Sematech verwijdert 10 nm vuiltjes
Reading time: 1 minute