ST claimt drie design-wins voor SOI

STMicroelectronics heeft drie klanten gevonden voor zijn fully-depleted silicium-op-isolatortechnologie (FDSOI): twee voor digitale netwerk-Asics en een voor hoogvolumeconsumentenelektronica. Dat heeft CEO Carlo Bozotti vorige week gezegd tegenover een gehoor van analisten en journalisten.

FDSOI is in veel opzichten de voortzetting van het vlakke CMos, dat decennialang het werkpaard van de halfgeleiderindustrie is geweest. Het verschil tussen de twee technologieën is dat bij SOI-wafers een dun oxidelaagje in de wafer is verzakt om parasitaire effecten de kop in te drukken. Tot voor kort werd de techniek niet vaak gebruikt, omdat SOI-wafers duurder zijn dan gewone. Nu de Mosfet echter wordt vervangen door de Finfet, probeert ST FDSOI alsnog mainstream te maken. Volgens de Frans-Italiaanse chipmaker worden de hogere waferprijzen gecompenseerd door een simpeler productieproces, en leveren transistoren op hun ondergrond betere prestaties.