Toshiba beoogt in 2017 energiezuinige tunnel-fet-transistoren op de markt te brengen. Dat kondigt het Japanse bedrijf deze week aan op de International Conference on Solid State Devices and Materials in Tsukuba. Tunnel-fets kunnen scherper aan- en uitschakelen dan standaard mosfets, waardoor ze bij lagere spanning kunnen opereren. Volgens Toshiba is minder dan 0,5 volt mogelijk. Daarnaast vormen lekstromen nauwelijks een probleem en kunnen tunnel-fets met een cmos-compatibel proces worden gefabriceerd.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
