TSMC produceert 28-nm-SRam

Het Taiwanese TSMC is erin geslaagd een 64 Mbit SRam-geheugen te maken in 28 nm-technologie. De cel is 0,127 μm² groot en heeft een dichtheid van 3,9 miljoen gates per vierkante millimeter. De foundry gebruikte zijn dual/triple-gateoxideproces. Het geheugen onderscheidt zich door goede VCC_min, lage lekstromen, koperen interconnects met lage RC en lage k, en goede analoge, elektrische en RF-componenten. De 28 nm SRam kwam naar buiten in een paper op het 2009 Symposium on VLSI Technology and Circuits in Kyoto, Japan.

TSMC laat met de ontwikkeling zien dat het zijn silicium oxynitride/poly-techniek kan uitbreiden naar generaties voorbij de 32 nm. Het bedrijf stelt in de paper dat het nieuwe geheugen 25 tot 40 procent sneller en 30 tot 50 procent zuiniger is dan zijn 45 nm-neefje. De verwachting is dat TSMC de technologie begin volgend jaar aan zijn klanten kan aanbieden.