Nand-flashgeheugens kunnen de trendmatige volumegroei en prijsreductie niet bijhouden als EUV-lithografie verdere vertraging oploopt. Dat heeft technisch topman Yoram Cedar van Sandisk gezegd tijdens een conferentie over flashgeheugens in Santa Clara. De behoefte aan het niet-vluchtige opslagmedium groeit onder meer dankzij de smartphone- en tabletmarkt.
De lithografische overgang naar 13,6 nanometer licht komt voor flashmaskers te laat; ze zijn reeds met double patterning-technieken aan de slag gegaan. Geluk bij een ongeluk is dat de ’eendimensionale‘ flashstructuren zich daar redelijk goed voor lenen. Nu is het complexere DRam de belangrijkste drijvende kracht achter EUV, maar dat wil niet zeggen dat Nand-makers niet alsnog willen overstappen. Wanneer dat zou moeten gebeuren, wilde Cedar niet zeggen, maar hij zei wel dat immersielithografie nog twee generaties flash mee kan. Dan wordt het 10-nanometerknooppunt bereikt. Cedar zei wel dat RRam op den duur het stokje van flash over zal nemen en dat voor de productie daarvan EUV nodig zal zijn.
Naast verkleining van de chipstructuren werken flashmakers ook aan 3D-chips om capaciteit en bitvolume te vergroten.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.