IBM claimt samen met partners Samsung, Globalfoundries en Suny Polytechnic de eerste 7 nm-testchip met functionele finfets te hebben gemaakt op een proces dat in principe commercieel haalbaar is. De transistoren werden met behulp van euv-lithografie neergelegd via een quadruple patterning-proces. Om voldoende elektronen door de gate te laten stromen, werd het kanaal vervaardigd uit SiGe. Dat alles gebeurde in IBM’s testfabriek in Albany.
De chip is een eerste stap op weg naar de 7 nm-generatie. Het zal nog jaren duren voordat deze beschikbaar komt, waarbij er grote vraagtekens zijn over de kosteneffectiviteit van de processen. Het is dan ook niet gezegd dat de gepresenteerde aanpak zijn weg zal vinden naar een commerciële implementatie. De ontwikkelingen op het gebied van euv-lithografie zullen hiervoor in sterke mate bepalend zijn.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
