ASM breidt ALD-portefeuille uit

De Amerikaanse tak van ASM International, ASM America, heeft een proces voor atoomlaagdepositie (atomic layer deposition, ALD) ontwikkeld waarmee de n- en p-transistoren gemaakt kunnen worden met hetzelfde metaal in de gate. Dat vereenvoudigt het chipfabricageproces, omdat deze twee typen schakelaars altijd in een 1-op-1-verhouding in CMos zitten. Volgens ASM draait het proces inmiddels bij verschillende klanten.

De vinding van ASM sluit aan bij een belangrijke trend in de halfgeleiderindustrie, namelijk de ontwikkeling van gates waarin siliciumdioxide in de gatestack is vervangen door een betere isolator en het polysilicium is ingewisseld voor een metaal. Dat is nodig om lekstromen in te perken en de procesvariabiliteit onder controle te houden. Het fenomeen heeft zelfs zijn eigen afkorting: HKMG. Die verwijst naar de hoge-k isolator en de metalen gates.

’Het oplossen van de HKMG-integratie in chipfabricageprocessen is een topprioriteit voor veel van onze klanten. Ons nieuwe proces versimpelt dat‘, zei Glen Wilk, productmanager voor transistoren bij ASM. De truc die zijn bedrijf toepaste is het aanbrengen van een buffer, de cap layer, tussen het diëlektricum en de gate. Dit laagje van aluminium- of lanthaanoxide is minder dan een nanometer dik.