Technieuws

NXP werkt aan embedded faseveranderingsgeheugen

Reading time: 2 minutes

NXP is bezig faseveranderingsgeheugen (phase-change memory, PCM) voor zijn microcontroller-, RFID- en smartcardproducten te ontwikkelen. Dat bleek op de International Electron Devices Meeting vorige maand in Washington. Onderzoekers van de Eindhovense chipmaker presenteerden daar de resultaten van hun onderzoek naar het niet-vluchtige geheugentype.

Volgens vicepresident John Schmitz, die over procestechnologie gaat, is de snelheid van PCM een groot voordeel. ’Het kan veel sneller zijn dan flash. Dat is een belangrijke eigenschap voor toepassing in smartcards. Het is bovendien goedkoop genoeg om in RFID-producten te gebruiken, waarmee we onze kunnen onderscheiden van de concurrentie‘, aldus Schmitz in een interview met Semiconductor International. PCM is bovendien tot wel een factor of tien zuiniger dan Nor-flash.

De meeste PCM‘s gebruiken legeringen van antimoon, germanium en telluur. Dergelijke zogenaamde chalcogenide materialen wisselen stuivertje tussen amorfe en kristallijnen toestand, afhankelijk van het type verwarmingspuls waaraan ze worden blootgesteld. Omdat de weerstand van beide toestanden verschilt, zijn ze bruikbaar om bits te representeren.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.

Login

Related content