Defectdichtheid EUV-masker drastisch gereduceerd

Onderzoeksinstituut Sematech zegt de defectdichteid van blanco EUV-maskers dusdanig te hebben gereduceerd dat ze geschikt zijn voor de productie van 22-nanometerchips. Dat zou een belangrijke stap betekenen voor de introductie van EUV-technologie als lithografisch werkpaard van de IC-industrie. Samen met het bronvermogen geldt de defectdichtheid van maskers als de belangrijkste hindernis die dat in de weg staat.

EUV-optica, waaronder de maskers, bestaat uit nanolagen van afwisselend silicium en molybdeen. Deze ’atomaire spekkoek‘ reflecteert als een van de weinige materialen een significant deel van invallende EUV-straling. De fabricage ervan is een buitengewoon delicaat proces, waarbij atoomlagen stuk voor stuk en beetje bij beetje met ionbeamdepositie (IBD) worden opgebouwd. Iedere onregelmatigheid of ieder stofje kan de reflectie – en dus het beeld – verstoren.

Sematech gebruikte een IBD-apparaat van de Amerikaanse machinebouwer Veeco.