Technieuws

Germaneen gedijt goed op halfgeleiderdrager

Reading time: 1 minute

Onderzoekers van het Twentse Mesa+ Instituut hebben germaneen gegroeid op een substraat van molydbeensulfide. De grafeen-analoog werd eerder gesynthetiseerd, maar dan op een metallische ondergrond. Door de interactie met het metaal gaat de meest aantrekkelijke eigenschap van germaneen verloren: zijn bandgap, die nodig is om elektronische schakelaars te maken. Op de 2d-halfgeleider molybdeendisulfide blijft de bandgap wel behouden. Uit berekeningen blijkt dat een sandwich van germaneen tussen twee lagen molybdeendisulfide een nog gunstiger bandgap oplevert.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.

Login

Related content