Koreaanse onderzoekers hebben een procedure ontwikkeld om perfect grafeen op waferschaal te synthetiseren. ‘We verwachten dat deze ontdekking de commercialisering van grafeen zal versnellen, waardoor een nieuw tijdperk in de consumentenelektronica ontsloten zou kunnen worden’, zegt een woordvoerder van het Samsung Advanced Institute of Technology, dat meewerkte aan de studie. De hoofdauteurs van het artikel in Science Express zijn verbonden aan Sungkyunkwan University.
De methode is gebaseerd op chemische dampdepositie van methaan. Tot nu toe lukte het niet om daarmee kristallijnen monolagen van grafeen te maken, omdat niet voorkomen kon worden dat het groeiproces op meerdere plaatsen start. De verschillende uitdijende ‘eilandjes’ komen elkaar vroeg of laat tegen en vormen dan geen naadloze verbinding. Door deze defecten verliest het grafeen een deel van zijn aantrekkelijke elektronische eigenschappen.
De Koreanen kwamen erachter dat de groeikernen op een oppervlak van germanium zich op een dusdanige manier uitlijnen, dat ze uiteindelijk wél goed op elkaar aansluiten. Zodoende ontstaat dus een ‘kreukvrije’ laag grafeen.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
