Grafeen kun je laten groeien in tien nanometer brede reepjes die in tegenstelling tot de atoomdikke vellen wél een bandovergang hebben, en dus geschikt zijn om een transistor mee te maken. Onderzoekers van de University of Wisconsin-Madison schrijven in Nature Communications hoe chemische dampdepositie (cvd) van methaan op een germanium wafer tien nanometer dikke lintjes van grafeen oplevert, mits de groeisnelheid de vijf nanometer per uur niet overschrijdt.
Er zijn eerder grafeenstrips gemaakt, maar die werden met grof geweld uit grotere vellen gekerfd. Daardoor hadden ze rafelrandjes, die de elektronische eigenschappen negatief beïnvloeden. De cvd-reepjes hebben wel nette zig-zag-randjes. De techniek past in het conventionele arsenaal van productietechnieken in de halfgeleiderindustrie, schrijven de onderzoekers.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
