IBM geeft sneakpreview MRam en kleinste SRam-cel

Op de International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco heeft IBM een presentatie gehouden over de ontwikkeling van een magnetoresistieve Ram-chip (MRam) die bits wegschrijft op basis van een spin torque transfer-techniek (STT). Daarmee komt een snel, niet-vluchtig geheugentype met een hoge dichtheid een stapje dichterbij. Samen met partners AMD en Toshiba toonde IBM ook ‘s werelds kleinste SRam-cel.

Modern MRam bestaat in essentie uit een isolerend laagje ingeklemd tussen twee magnetische elektrodes. Om individuele cellen te adresseren, gebruikt het geheugen een vierkant raster van koperdraden. Door gelijktijdig een stroom te laten lopen door twee haaks op elkaar staande draden wordt een magnetisch ’schrijfveld‘ gegenereerd waarmee de relatieve polarisatie (parallel of antiparallel) van de elektrodes kan worden ingesteld. De magnetische toestand bepaalt de weerstand van de drielaagsstructuur, en dat is de basis voor de opslag van een bit.

Het probleem bij MRam is dat bij structuren kleiner dan negentig nanometer er niet voldoende schrijfveld kan worden geproduceerd. Geheugenmakers vestigden daarom hun hoop op STT, waarbij de cel beschreven wordt met een spingepolariseerd stroompje. Daardoor kan MRam onder het 90-nanometerknooppunt duiken. IBM zegt daar nu een belangrijke stap toe gezet te hebben in de vorm van een vier kilobit testchip.