Technieuws

Intel ontwikkelt 3D transistor

Alexander Pil
Reading time: 1 minute

Onderzoekers van Intel zijn erin geslaagd hun trigate- of 3D transistoren geschikt te maken voor massaproductie. De verticale elektrische schakelaars verbruiken minder stroom. Volgens de chipgigant ligt het vermogenverbruik zowel in actieve als stand-bystand 35 procent lager dan bij de huidige 65 nm transistoren. Ook de stuurstroom is 45 procent kleiner.

Intel verwacht dat zijn vinding gemeengoed zal zijn in toekomstige microprocessoren vanaf de 45 nm-generatie. Verticale transistoren of Finfet‘s zorgen echter voor productieproblemen die alleen maar groeien als de schakelingen dichter op elkaar komen te liggen. De standaard platte transistoren ondervinden echter nog grotere problemen als de kanaallengte in de 32 nm-generatie zo‘n 20 nm bedraagt. Intel zegt de struikelblokken voor 3D transistoren nu te hebben opgelost. Hoe de chipfabrikant dat precies heeft gedaan, heeft het nog niet naar buiten gebracht.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.

Login

Related content