Chinese en Engelse wetenschappers hebben tft’s op amorf indiumgalliumzinkoxide (a-InGaZnO of IGZO) gemaakt die bij ruim één gigahertz opereren. Dat betekent dat amorf silicium nu echt op zijn tellen moet gaan passen. Om van de hogere elektronenmobiliteit te profiteren zijn lcd-fabrikanten al begonnen om oxides toe te passen in hun backplanes, en naarmate de prestaties toenemen zullen meer applicaties volgen. De flexibiliteit van het materiaal is daarbij ook een aantrekkelijke eigenschap. IGZO-technologie is echter nog volop in ontwikkeling.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
