Samsung presenteert volgend jaar op de ISSCC een 8 Gbit phase-change-geheugen, meldt de website Semiaccurate. De Koreaanse chipgigant maakt daarmee een forse capaciteitssprong met dit geheugentype, dat schakelt op basis van de fasetoestand (amorf of kristallijn) van een vaste stof. Niet eerder lukte het om dit principe op een 20-nanometerchip werkend te krijgen. Aangezien ook de meest geavanceerde Nand- en DRam-chips worden gefabriceerd op die dimensies, lijkt het erop dat fasegeheugen een behoorlijk stuk van zijn achterstand heeft ingehaald. Met de niet-vluchtigheid van Nand en de snelheid van DRam is Samsungs fasegeheugen een potentiële concurrent voor beide.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
