Spintronische transistoren in silicium bieden grote kansen voor energiezuinige computers, maar onderzoekers hebben nog niet alle methodes in de vingers om deze schakeling te bouwen. Een van de problemen is dat een stroom moeilijk door kan dringen van een magnetisch materiaal naar silicium. UT-promovendus Byoung-Chul Min keek naar deze grensoppervlakken en vond dat een dun laagje ferromagnetisch materiaal met lage werkfunctie een spin-Mosfet mogelijk moet maken.
Naarmate de grenzen van halfgeleidertechnologie steeds lastiger te verleggen zijn, kijken onderzoekers ook naar niet-elektrische eigenschappen voor het maken van logische schakelingen. Een van deze eigenschappen is de spin van deeltjes. Deze kwantummechanische eigenschap is voor de beeldvorming vergelijkbaar met een tol die links- of rechtsom draait. Spintronicatoepassingen gebruiken deze draairichting in plaats van, of in combinatie met, de lading van het elektron. De spin richt zich naar magnetische velden. Spintronicaonderzoek begeeft zich dan ook in zowel het magnetische als het elektrische domein. Door het combineren van deze eigenschappen liggen eenvoudigere en energiezuinigere schakelingen in het verschiet. De spin blijft intact in afwezigheid van een elektrische stroom en is dus bruikbaar voor niet-vluchtig geheugen. Ook niet-vluchtige schakelingen behoren tot de mogelijkheden.
Aan de Universiteit Twente werkte promovendus Byoung-Chul Min de afgelopen jaren aan een specifieke component, de spin-Mosfet. ’Met een spin-Mosfet zou je een schakeling kunnen realiseren met de eigenschappen van een processor en geheugen in één‘, legt Min uit. ’Helaas is de spin-Mosfet tot nu toe nog moeilijk realiseerbaar gebleken.‘
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
