Analyse

Te weinig euv-fotonen voor scherp patroon: probleem of showstopper?

Reading time: 3 minutes

Er is een nieuwe kwelgeest opgedoken voor euv-lithografie: stochastische effecten. Wat zijn dat en kunnen ze het euv-feestje nog bederven?

Chris Mack knakte in Bits&Chips’ recente ASML-special genadeloos het broze niet-óf-maar-wanneer-optimisme ten aanzien van euv-lithografie dat zich het afgelopen jaar meester heeft gemaakt van de halfgeleidergemeenschap. De bekende bloggende lithograaf stelde dat rafelige randjes van met euv geprojecteerde patronen het feestje gaan verpesten: totdat het bronvermogen nog eens een factor twee tot vier wordt opgeschroefd, zijn de beelden te ruw om goede chips te produceren.

Het is ook altijd wat. Lijken de meeste showstoppers voor euv eindelijk uit de weg geruimd, duikt er weer een nieuwe op. Maar dat Mack niet de enige is die het probleem serieus neemt, bleek wel op de SPIE Advanced Lithography Conference, eind februari in San Jose. Ook tijdens hét event voor geavanceerde lithografie stonden de zogeheten stochastische effecten hoog op de agenda.

This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.

Login

Related content