HP wil over drie jaar een memristorgebaseerd niet-vluchtig geheugen op de markt brengen met een twee keer zo hoge opslagdichtheid als flash tegen die tijd heeft. Nu al bereidt het bedrijf een productieproces op 300 millimeter plakken voor. Dat zegt de geestelijk vader van de memristor, Stan Williams van HP, in Technology Review. De voorgenomen ambitieuze verhuizing van lab naar fab vormt de lakmoesproef voor de schakeling die het midden houdt tussen analoog en digitaal, waarvan de performance en betrouwbaarheid nog een vraagteken is.
Hoewel theoretisch al beschreven in 1971, kreeg de memristor pas in 2008 fysieke vorm. Het hart wordt gevormd door een oxidelaagje met bewust geïntroduceerde zuurstofvacatures in het kristalrooster, ingeklemd tussen een grid van kruisende nanodraden. Bij lage spanningen vertoont de memristor analoog gedrag met als bijzonderheid dat hij ’onthoudt‘ hoeveel stroom erdoorheen is gelopen. Dat komt door migratie van de zuurstofvacatures, al begrijpen onderzoekers het gedrag nog niet precies. Bij hogere spanningen schakelt de weerstand van het oxide simpelweg tussen hoog en laag. Daarmee kun je dus een digitaal geheugen maken.
Op zichzelf is een oxidegebaseerd geheugen niets nieuws. Onder de noemer resistive Ram (RRam) proberen verschillende bedrijven er al langer een competitief product op te baseren en ook Imec heeft een RRam-onderzoeksprogramma. Nieuw in HP‘s concept is vooral de cross-bar-structuur, die een zeer hoge opslagdichtheid mogelijk zou kunnen maken. Het schakelende element hoeft niet groter dan een paar nanometer breed en dik te zijn.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
