Toshiba heeft zodanig aan ’s werelds meest gebruikte transistorstructuur, de Mosfet, gesleuteld dat die de spin en het magnetisch moment van elektronen gebruikt om informatie op te slaan, in plaats van de lading. Spintronische schakelingen omzeilen problemen met stroomtoevoer en lekstromen. De Japanners hebben de stabiel werkende cel op de maandag gepresenteerd op de IEDM in Baltimore.
De chipmaker introduceerde magnetische lagen in de bron en afvoer van een Mosfet-cel en gebruikte deze om de spinrichting van de elektronen te controleren met het befaamde spin torque switching, een manier om met de magnetisatie te spelen via een spingepolariseerd stroompje. Pas sinds kort krijgen wetenschappers daar meer grip op. Ook de gate-, bron- en afvoerspanningen spelen in een rol de beheersing van de spinrichting. Het uitlezen geschiedt op basis van veranderende impedantiekarakteristieken van een spinstroom.
Volgens Toshiba is de spintronische Mosfet veelbelovend als schaalbaar niet-vluchtig geheugen met hoge lees- en schrijfsnelheden en laag energieverbruik. Tegen 2015 zou het geschikt zijn voor commerciële toepassingen.
This article is exclusively available to premium members of Bits&Chips. Already a premium member? Please log in. Not yet a premium member? Become one for just €20 for the first year and enjoy all the benefits.
