Micro-GaN voor macro-power

Op 28 april was ik in Padua aanwezig bij de uitreiking van een eredoctoraat aan Hiroshi Amano, die in 2014 de Nobelprijs voor de fysica won. Amano vertelde dat hij niet de echte pionier was van de blauwe led op basis van de halfgeleider galliumnitride (GaN), maar dat zijn werk aansloot op doodgelopen wereldwijd onderzoek van de jaren zeventig. Vaak is het de tweede golf van de technische ontwikkelingen die het economische succes oplevert.

Met de Nobelprijs van Akazaki, Amano en Nakamura is de aandacht voor GaN ook in andere toepassingen toegenomen. Dankzij het tweedimensionale elektronengas tussen GaN- en AlGaN-laagjes kun je een GaN high-electron-mobility transistor maken, een transistor met een extreem lage weerstand, met minimale capaciteit en voor zeer hoge spanningen van zeshonderd volt en daarboven. Dit geeft nieuwe opties in hoogvermogenelektronica en rf-power.

In de Benelux mikt NXP met GaN op rf-applicaties, Imec-spin-out Epigan is aanbieder van GaN-op-silicium-wafers, Imec zelf heeft een GaN-partnerprogramma en Onsemi in Oudenaarde heeft GaN-chips in ontwikkeling. Net over de grens zit met Aixtron in Aken een van de twee grote leveranciers van epitaxieapparaten, waarmee GaN-plakken worden gemaakt.